KATALOGOWE PARAMETRY PRZYKŁADOWYCH ELEMENTÓW ENERGEELEKTRONICZNYCH.doc

Wydział Elektrotechniki

Informatyki i Telekomunikacji

KATALOGOWE PARAMETRY PRZYKŁADOWYCH ELEMENTÓW ENERGEELEKTRONICZNYCH

Zielona Góra 2005

SPIS TREŚCI

1. ELEMENTY BIERNE………………………………………………………………….3

1.1. Rezystory…………………………………………………………………………3

1.1.1. Parametry rezystorów………………………………………………………3

1.1.2. Oznaczenia rezystorów……………………………………………………..4

1.2. Kondensatory…………………………………………………………………….7

1.2.1 Parametry kondensatorów…………………………………………………..7

1.3. Cewki indukcyjne………………………………………………………………12

1.3.1 Parametry cewek…………………………………………………………..13

2.BIERNE BEZZŁĄCZOWE ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE……………15

2.1. Termistory NTC i PTC………………………………………………………….15

2.1.1. Podstawowe parametry termistora NTC i PTC...........................................16

2.3. Warystory……………………………………………………………………….17

2.3.1. Parametry warystorów…………………………………………………….17

3. ELEMENTY JEDNOZŁĄCZOWE………………………………………………….19

3.1.Ogólna charakterystyka diód…………………………………………………….19

3.2. Diody prostownicze bipolarne…………………………………………………..20

3.2.1. Parametry diody prostowniczej…………………………………………...21

3.3. Diody unipolarne Schottyky’ego……………………………………………….23

3.4. Diody stabilizacyjne (Zenera)…………………………………………………..26

3.4.1. Parametry diody stabilizacyjnej…………………………………………..26

4. CZYNNE ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE WIELOZŁĄCZOWE……...28

4.1. Tranzystor bipolarny mocy……………………………………………………..28

4.1.1. Parametry tranzystorów…………………………………………………...29

4.1.2. Zastosowanie tranzystorów…………………………………………….....30

4.2. Tranzystor unipolarny FET……………………………………………………..30

4.2.1. Tranzystory polowe złączowe FET……………………………………….31

4.2.2. Zasada działania tranzystora polowego FET……………………………...32

4.2.3. Parametry i charakterystyki tranzystora polowego JFET……………........33

4.3. Tranzystor unipolarny MOSFET……………………………………………….35

4.3.1. Zasada działania tranzystora MIS (MOS)………………………………...35              4.3.2.Charakterystyki tranzystorów MOSFET ………………………………....38

4.4. Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką IGBT (BIMOS)……………………39

5. ELEMENTY PRZEŁĄCZNIKOWE……………………………………………..….40

5.1. Diaki…………………………………………………………………………….40

5.1.1. Parametry diaków…………………………………………………………...40

5.2. Triaki………………………………………………………………………………….41

5.2.1 Parametry triaków…………………………………………………………...42

5.3. Tyrystory………………………………………………………………………..43

5.3.1. Parametry i charakterystyki tyrystorów…………………………………….43

5.3.2. Zalety i wady tyrystorów…………………………………………………...47

5.4. Fototyrystor……………………………………………………………………..47

6. LITERATURA………………………………………………………………………...49

1.                                                                                                                                                                                   ELEMENTY BIERNE.

1.1. REZYSTORY

Rezystor to najpopularniejszy element elektroniczny, zwykle zbudowany w postaci wałeczka z dwoma wyprowadzeniami. Służy on najczęściej do ograniczania prądu lub uzyskania wymaganych napięć. Najważniejszym parametrem rezystora jest rezystancja oznaczana literą R. Jest to w uproszczeniu zdolność do przeciwstawienia się przepływowi prądu.

1.1.1. Parametry rezystorów

Rezystancja nominalna- rezystancja, jaką powinien mieć rezystor.

Tolerancja- (klasa dokładności) - ponieważ ze względu na rozrzuty produkcyjne rezystory nie mają rezystancji dokładnie zgodnej z rezystancją znamionową, podaje się maksymalne dopuszczalne odchyłki. Wyraża się to w procentach wartości znamionowej.

Moc znamionowa- największa dopuszczalna moc wydzielana na rezystorze przy pracy ciągłej w temperaturze otoczenia mniejszej niż 70 º C (dla niektórych typów 40 º C).

Napięcie graniczne- maksymalne napięcie stałe lub amplituda napięcia zmiennego, jakie może być dołączone do rezystora w sposób ciągły.

Rezystancja krytyczna- rezystancja, przy której dla napięcia granicznego otrzymuje się moc znamionową. Rezystory o rezystancji znamionowej większej niż krytyczna wolno obciążać mocą tym mniejszą, im większa jest ich rezystancja znamionowa.

Napięcie szumów- w czasie pracy występują w nim szybkie, przypadkowe zmiany rezystancji, które powodują powstawanie na jego końcówkach napięcia szumów, proporcjonalne do napięcia doprowadzonego do rezystora. Napięcie szumów wywołane jednym Voltem napięcia doprowadzonego jest parametrem rezystora charakteryzującym jego właściwości szumowe.

Temperaturowy współczynnik rezystancji- oznaczony w krajowych źródłach TWR, lub z angielskiego TCR, określa zmiany rezystancji pod wpływem temperatury. Czym mniejsza wartość TCR, tym bardziej stabilny rezystor. Wartość TCR podaje się w %/K lub ppm/K (gdzie 1%=104 ppm).

Niestabilność parametrów rezystora w zależności od warunków otoczenia. Jednym z głównych czynników warunkujących zachowanie parametrów rezystora jest temperatura. Oprócz rezystancji zmieniają się także inne parametry. Dopuszczalne obciążenie rezystorów jest stałe do pewnej granicy temperatury (zazwyczaj ok. 60˚C), po której przekroczeniu następuje jego spadek z 100 do 0% na długości ok. 40˚C. Na parametry mają wpływ także inne czynniki zewnętrzne zawarte parametrów tabeli 1.1.

Tabela 1.1. Zmiany rezystancji rezystora węglowego w zależności od czynników zewnętrznych

1.1.2. Oznaczenie rezystorów.

W oznaczeniach rezystorów stosuje się trzy kody:cyfrowy, cyfrowo- literowy i barwny paskowy.                                                                                                                                            Kod cyfrowy polega na zapisywaniu wartości rezystancji, tolerancji, temperaturowym współczynniku rezystancji itp. za pomocą cyfr, np.: 210 W, 1 kW = 1000 W, 1,2 MW 20%, 470 k 0,5% 10%/K itp. ( ...