18. Cegiełki.pdf

Pierwsze kroki

Tranzystory

dla początkujących

część 18

Cegiełki

Zgodnie z obietnicą z ubiegłego miesiąca, zapoznam Cię z kolejnymi “cegiełkami” stosowanymi

w praktycznie budowanych wzmacniaczach. Nie przegap tego materiału, bo na koniec

przygotowałem niespodziankę, która niewątpliwie sprawi Ci dużo radości.

Źródła prądowe i układy

powtarzania prądu

wości układu z rysunku 12a, ale prościej

można je polepszyć dodając niewielkie

rezystory emiterowe wg rysunku 12c.

Układy powtarzania prądu, pełniące

także często rolę źródeł prądowych, zbu−

dowane według rysunku 12, wykorzysty−

wane są bardzo często, ponieważ umożli−

wiają uniezależnienie parametrów układu

od zmian napięcia zasilającego. Wtedy na

przykład wzmacniacz pobiera niemal taki

sam prąd spoczynkowy w bardzo szero−

kim zakresie napięć zasilających.

Połączenie równoległe

W celu zwiększenia prądu oraz mocy

strat, kilka tranzystorów niekiedy łączy się

równolegle. Wtedy nie zyskuje się żad−

nych specjalnych właściwości − po prostu

powstaje tranzystor większej mocy. Bu−

dując potężny zasilacz albo wzmacniacz

audio większej mocy, będziesz łączył

tranzystory równolegle. Ale nigdy nie we−

dług rysunku 13.

Zastanów się, dlaczego? Czym to grozi?

A może zaproponujesz dobranie jedna−

kowych tranzystorów, z jednej serii produk−

cyjnej i dodatkowo selekcjonowanych?

Słusznie! Ale i wtedy nie wolno stosować

połączenia według rysunku 13.

Dlaczego?

A z jaką dokładnością dobierzesz te

tranzystory? Czy naprawdę będą idealnie

jednakowe?

Źródło prądowe i układ powtarzania

prądu poznałeś już wcześniej, gdy oma−

wialiśmy podstawowe właściwości tran−

zystora w obwodach prądu stałego i roz−

ważaliśmy wpływ temperatury. Na rysun−

ku 12 zobaczysz schemat prostego i bar−

dziej rozbudowanego układu powtarzania

prądu. Dodanie trzeciego tranzystora wg

rysunku 12b znacznie poprawia właści−

Rys. 12

Rys. 13

E LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 8/99

Pierwsze kroki

Właśnie − nigdy nie będą idealnie jed−

nakowe. A dodatkowo pojawią się różni−

ce wynikające choćby z różnej długości

ścieżek czy przewodów w obwodach baz

i emiterów. I już bardzo drobne różnice

wystarczą do zepsucia całej kosztownej

baterii tranzystorów. Zacznie się to wszy−

stko przy dużym sumarycznym prądzie,

przekraczającym dopuszczalny prąd jed−

nego tranzystora. Rozpocznie się od jed−

nego z tranzystorów, przez który będzie

płynął prąd odrobinę większy niż przez in−

ne tranzystory. Ten jeden tranzystor na−

grzeje się minimalnie bardziej niż inne...

To zapoczątkuje katastrofę. Jak pamię−

tasz, wzrost temperatury powoduje

zmniejszenie napięcia U BE (a przy stałym

napięciu U BE powoduje szybki wzrost prą−

du bazy i kolektora). W tym wypadku na−

pięcie U BE będzie takie samo jak w pozo−

stałych tranzystorach, a więc prąd tego

najcieplejszego tranzystora będzie wzra−

stał. Wzrost prądu (przy niezmiennym na−

pięciu U CE ) oznacza wzrost mocy strat

i dalszy wzrost temperatury tego jednego

tranzystora. To jeszcze bardziej zwiększy

prąd, temperaturę i... w końcu ten jeden

tranzystor przejmie na siebie cały prąd

z innych, coraz chłodniejszych tranzysto−

rów. Oczywiście po krótkim czasie tem−

peratura nadmiernie wzrośnie i ten tran−

zystor zostanie uszkodzony. Jeśli się ze−

wrze, oznacza to koniec zabawy − urzą−

dzenie przestanie działać, niemniej

uszkodzeniu ulegnie tylko ten tranzystor.

Co jednak bardziej prawdopodobne, ten

przeciążony tranzystor nie zewrze się, tyl−

ko rozewrze. Wtedy cały prąd przejmą

pozostałe ocalałe tranzystory. Po pew−

nym czasie jeden z nich będzie miał tem−

peraturę minimalnie wyższą niż inne...

Sytuacja powtórzy się i to właśnie on

“strzeli” w następnej kolejności. Potem

następny, i tak kolejno uszkodzą się

wszystkie. Miła perspektywa!

Aby zapobiec nieszczęściu, wystarczy

w obwodach wszystkich emiterów do−

dać niewielkie rezystory według rysunku

14, by przy największym spodziewanym

Rys. 14

się napięcia wyjścio−

wego, a ponadto

w spoczynku pobie−

ra znaczny prąd.

W EdW3/99 na ry−

sunku 11b na stro−

nie 65 podałem Ci

schemat symetrycz−

nego wtórnika, jaki

bywa stosowany

czasem w praktyce.

Nieporównanie czę−

ściej stosuje się jed−

nak prostszy i lepszy

układ, mający

podobne właściwo−

ści. Dotyczy to zwła−

szcza stopni wyj−

ściowych większej

mocy, w tym stopni

końcowych wzmacniaczy audio. Etapy

rozwoju takiego układu i kolejne odmiany

stosowane w praktyce zobaczysz na ry−

sunku 16. Dla ułatwienia analizy załóżmy,

że układy są zasilane napięciem syme−

trycznym.

Z dwóch okładów z rysunku a robimy

najpierw prościutki układ z rysunku b.

W spoczynku nie pobiera on prądu. Nie−

stety, w zakresie napięć wejściowych

±0,6V żaden z tranzystorów nie przewo−

dzi. Jest to poważna wada. Można ją wy−

eliminować na wiele sposobów. Rysunek

c pokazuje sposób z wykorzystaniem

diod. Spadek napięcia na diodach jest

mniej więcej taki, jak napięcie U BE tranzy−

storów, więc oba tranzystory są na grani−

cy przewodzenia (płynie przez nie jakiś

maleńki prąd spoczynkowy. Liniowość ta−

kiego symetrycznego wtórnika jest

znacznie lepsza, niż poprzedniego układu,

jednak też nie jest rewelacyjna. Ponadto

trudno kontrolować drobne różnice

i (temperaturowe) zmiany napięć diod

i napięć U BE tranzystorów, które będą po−

wodować znaczne zmiany prądu płynące−

go przez tranzystory (zwłaszcza przy róż−

nych temperaturach diod i tranzystorów).

Dlatego w praktyce bywa czasem stoso−

prądzie tranzystora, spadek napięcia na

tym dodatkowym rezystorze wynosił

0,1...0,4V. W zasadzie czym więcej, tym

lepiej, jednak nie warto przesadzać, bo

w rezystorach tych przy dużych prądach

będzie się wydzielać znaczna moc strat.

Połączenie szeregowe

tranzystorów

W literaturze znajdziesz być może

wskazówki, jak połączyć kilka tranzysto−

rów niskonapięciowych w wysokonapię−

ciowy. Towarzyszyć temu będzie sche−

mat podobny jak na rysunku 15. Obejrzyj

taki schemat, uśmiechnij się i... zapomnij.

Nigdy nie będziesz stosował takich “wy−

nalazków”. Dziś dostępne są przyzwoite

tranzystory wysokonapięciowe i napraw−

dę nie ma potrzeby zawracać sobie gło−

wy schematem z rysunku 15.

Tylko jedno wyjaśnienie − może cza−

sem zbudujesz wzmacniacz wysokona−

pięciowy w układzie kaskodowym (rysu−

nek 6). Pamiętaj, że tylko górny tranzy−

stor ma być wysokonapięciowy. Dolny

zawsze pracuje przy niskim napięciu

i może to być jakikolwiek tranzystor o od−

powiednim prądzie kolektora.

Rys. 15

Wyjście przeciwsobne

Prawdopodobnie zauważyłeś, że

omówione wcześniej wzmacniacze OC,

OE i OB mają niezbyt dobre właściwości

wyjściowe. Nawet najlepszy pod tym

względem układ OC nie zachowuje się

jednakowo przy wzroście i zmniejszaniu

Rys. 16

E LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 8/99

Pierwsze kroki

wany sposób z rysunku d, gdzie dodatko−

we rezystory stabilizują punkt pracy tran−

zystorów i wyznaczają prąd spoczynko−

wy. Oczywiście suma spadków napięcia

na tych niewielkich rezystorach jest rów−

na napięciu przewodzenia dwóch dodat−

kowych diod. Zmieniając wartości R E1

iR E2 można ustalić potrzebny w danym

zastosowaniu prąd spoczynkowy.

W praktycznych układach taki stopień

wyjściowy jest sterowany “od dołu”

przez tranzystor NPN. Wtedy zamiast

czterech diod, wystarczą trzy wg rysunku

e. A jeszcze częściej do ustalenia punktu

pracy tranzystorów wyjściowych, za−

miast diod, wykorzystuje się układ z ry−

sunku f. Zastanów się nad działaniem

tranzystora i potencjometru. Już rysunki

d, e sugerują, iż zastępuje on kilka diod.

W samej rzeczy − potencjometr umożli−

wia płynną regulację “liczby diod”, a tym

samym płynną regulację prądu spoczyn−

kowego. A najważniejsze, że taka “zwie−

lokrotniona dioda” ma charakterystyki

termiczne podobne jak zestaw diod. Ten

dodatkowy tranzystor montuje się blisko

tranzystorów wyjściowych (na radiatorze)

i wtedy przy zmianach temperatury tran−

zystorów prąd spoczynkowy prawie się

nie zmienia.

W stopniach większej mocy spotyka

się darlingtony, zwykłe i komplementarne

− zobacz rysunek g, a także rysunek h,

gdzie oba wyjściowe tranzystory (mocy)

są typu NPN. Tranzystor sterujący może

być umieszczony “u góry”, jak na rysun−

ku g, albo “na dole”, jak na rysunkach e,

f, h. Zamiast rezystora dość często stoso−

wane bywają źródła prądowe, jak na ry−

sunku h.

W praktyce zwykle dodaje się jeszcze

obwody ograniczania prądu, jak na rysun−

ku i. Wtedy nawet przy zwarciu wyjścia,

prąd maksymalny zostanie ograniczony

do wartości około 0,6V/R E .

Przy okazji drobna dygresja. Jeśli

w spoczynku przez tranzystory płynie du−

ży prąd, a w czasie pracy prąd żadnego

z tranzystorów nie spada do zera, mówi−

my o pracy w klasie A (np. rysunek 16a).

Gdy w spoczynku tranzystory są na pro−

gu przewodzenia, a prąd pojawia się do−

piero po pojawieniu się sygnału, mamy

do czynienia z klasą B (np. rys. 16c). Gdy

w spoczynku prąd nie płynie i nawet przy

małych sygnałach tranzystory są zatkane,

mamy do czynienia z klasą C (np. rys.

16b). Klasa A oznacza małe zniekształce−

nia, ale duże straty mocy. Oszczędne kla−

sy B i C wiążą się niestety z dużymi znie−

kształceniami. Dlatego w praktyce wy−

znacza się pracę stopnia w głębszej lub

płytszej pośredniej klasie AB, stosując

układy z rysunków 16d...i ustalając kom−

promisowo prąd spoczynkowy. Czym

większy ten prąd, tym mniejsze znie−

kształcenia. Oczywiście, są to tylko ogól−

ne zasady i w rzeczywistości ustalając

wartość prądu spoczynkowego należy

uwzględnić szereg innych czynników. Ta−

kie rozważania wykraczają jednak poza

ramy niniejszego cyklu.

z dwoma jednakowymi rezystorami

w obwodach kolektorowych tranzysto−

rów. Bardzo często wykorzystuje się sy−

gnał z obu kolektorów, czyli różnicę na−

pięć na kolektorach. Mówimy wtedy

o wyjściu różnicowym .

Może zresztą widziałeś ten układ

w nieco odmiennej postaci, pokazanej na

rysunku 18 i nazywanej wzmacniaczem

różnicowym. Różnicowym, ponieważ za−

równo wejście i wyjście są różnicowe.

Wzmacniacz różnicowy

Teraz kolejny ważny układ. Połączmy

dwa wzmacniacze (OC i OB) w jeden –

ilustruje to rysunek 17a i 17b.

Rys. 17

Jakie właściwości będzie miał ten

układ?

Gdy napięcie w punkcie A rośnie, ro−

śnie też napięcie na emiterze T1. Ponie−

waż napięcie U BE tranzystora T2 maleje,

zmniejsza się prąd płynący przez T2 i R C2 .

Napięcie na kolektorze T2 (w stosunku)

do masy rośnie. Do całkowitego zatkania

tranzystora T2 wystarczy podnieść napię−

cie wejściowe o kilkadziesiąt miliwoltów.

Podobnie, aby go nasycić wystarczy obni−

żyć je o kilkadziesiąt miliwoltów. Już to

pokazuje, że układ ma duże wzmocnienie

prądowe i napięciowe, podobnie jak

wzmacniacz OE. Czy widzisz tu jakieś

podobieństwa z układem OE? Czy nie

masz wrażenia, że układ z rysunku

17b ma właściwości podobne jak wzmac−

niacz OE, tylko nie odwraca fazy?

Tu rzeczywiście rezystancja wejścio−

wa będzie podobna jak w układzie OE −

nie przeocz faktu, że obciążeniem tranzy−

stora T1 wbrew pozorom nie jest rezy−

stancja R E , tylko równoległe połączenie

R E ir e tranzystora T2 − porównaj rysunek

4 w EdW 7/99. Wobec tego rezystancja

wejściowa będzie niewielka, równa

Rwe = 2r e

Czyli tylko dwukrotnie większa niż

w układzie OE.

Natomiast wzmocnienie jest dwukrot−

nie mniejsze i wynosi

Ku = R C2 / 2r e

Niemniej nie jest to tylko “nieodwra−

cający odpowiednik wzmacniacza OE” −

ten układ ma szereg cennych właściwo−

ści, nie spotykanych we wcześniejszych

wzmacniaczach. W praktyce występuje

raczej w postaci jak na rysunku 17c −

Sygnał wejściowy nie jest już podawany

miedzy masę a jedno wejście, tylko mie−

dzy dwa wejścia. Nie masz chyba wątpli−

wości, że sygnał wyjściowy jest tu pro−

porcjonalny do różnicy napięć na bazach

obu tranzystorów . Czy tylko?

Analiza matematyczna wzmacniacza

różnicowego (z wykładniczą zależnością

prądu kolektora od napięcia U BE ) przestra−

szyła już niejednego początkującego

adepta elektroniki. My nie będziemy się

w to wgłębiać. Nie bój się – wzmacniacz

różnicowy możesz na dobry początek po−

traktować jako połączenie wzmacniaczy

OC i OB jak na rysunku 17 – łatwiej bę−

dzie Ci zrozumieć jego podstawowe wła−

ściwości. Możesz założyć, że jedno wej−

ście ma stały potencjał, a napięcie zmie−

nia się tylko na drugim, albo odwrotnie.

Tak jest, można powiedzieć, że układ ma

“jednakowe właściwości z obu stron”.

Potem powinieneś podejść do niego ina−

czej. Już schemat z rysunku 18 wskazu−

je, że jest to układ symetryczny. Jak to ro−

zumieć? Od czego zacząć?

Uważaj − przez wspólny rezystor emi−

terowy R E płynie jakiś prąd I E . Pomińmy

prądy baz − wtedy powiemy, że prąd I E

jest sumą prądów kolektora obu tranzy−

storów. Zaznaczyłem to na rysunku 18.

Czy prądy I C1 , I C2 będą równe?

To zależy od różnicy napięć na bazach

obu tranzystorów − zauważ, że to różnica

napięć na bazach zmienia rozpływ prądu

“emiterowego” pomiędzy dwa tranzy−

story, a tym samym zmienia różnicowe

napięcie wyjściowe.

Jasne?

E LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 8/99

Pierwsze kroki

A co wte−

dy, gdy na oba

wejścia poda−

my takie sa−

me napięcie

względem

masy (lub ze−

wrzemy je

i podamy na

oba jakieś na−

pięcie zmien−

ne)? Podaje−

my więc na

zwarte wej−

ścia napięcie

współbieżne.

Przeanalizuj

układ samo−

dzielnie, pomiń prąd bazy. Pomoże Ci ry−

sunek 19 (przyjąłem takie wartości na−

pięć i rezystancji, żeby było łatwiej li−

czyć). Jakie będzie napięcie wyjściowe,

gdy punkt A zewrzesz do masy? A jakie,

gdy podasz nań napięcie stałe +4V,

a potem −4V? Policz to!

tomiast różnicowe napięcie wyjścio−

we... stop, stop, za szybko. Tu pójdzie

nam trochę trudniej. Rysunek 19 suge−

ruje, że różnicowe napięcie wyjściowe

cały czas jest takie samo (równe zeru).

W rzeczywistości aż tak dobrze nie jest

− gdy napięcia na bazach będą minimal−

nie się różniły i będą się różniły prądy

I C1 , I C2 , wtedy wpływ zmian napięcia

współbieżnego będzie zauważalny. Ilu−

struje to rysunek 20a, b, c, gdzie to sa−

mo niewielkie różnicowe napięcie wej−

ściowe U3 (nie ważne jakiej wartości −

rzędu miliwoltów) powoduje podział

prądu I E w stosunku 2:1. Analiza rysun−

ków 20a, b, c wykazuje, że choć różni−

cowe napięcie wejściowe cały czas jest

takie samo (U3), jednak napięcie współ−

bieżne U4 ma wpływ na różnicowe na−

pięcie wyjściowe. Już zapewne zdąży−

łeś zauważyć, że zmiany te wynikają ze

zmian prądu IE (i tym samym I C1 , I C2 ). Co

zrobić, by napięcie współbieżne nie

zmieniało prądu I E ?

Masz jakiś pomysł?

Świetnie!

Wystarczy zamiast rezystora R E za−

stosować źródło prądowe według ry−

sunku 21.

Gdy źródło

prądowe jest

idealne, to...

no właśnie,

wtedy prąd I E

zawsze jest

taki sam

i w konse−

kwencji na−

pięcie współ−

bieżne zupeł−

nie nie wpły−

wa na napię−

cia wyjścio−

we − przeana−

lizuj to samo−

dzielnie. Fa−

chowo po−

wiemy, że taki układ ma nieskończenie

wielki współczynnik tłumienia sygnału

współbieżnego. Ten współczynnik tłu−

mienia sygnału współbieżnego po an−

gielsku nazywa się Common Mode Re−

jection Ratio − w skrócie CMRR. Zapa−

miętaj − często będziesz go spotykał.

W praktyce źródło prądowe nie jest ide−

alne, niemniej jednak znalazłeś skutecz−

ny sposób na uniezależnienie się od na−

pięć współbieżnych. Wtedy wzmocnie−

nie sygnału wspólnego jest bliskie zeru,

natomiast wzmocnienie różnicowych

sygnałów wejściowych jest znaczne

(wyznaczone przez R C /r e ).

A może jeszcze coś się uda ulepszyć?

Ulepszajmy

dalej − zwięk−

szmy wzmoc−

nienie przez za−

stosowanie

w kolektorach

źródeł prądo−

wych zamiast

rezystorów R C

(rysunek 22).

Taki zabieg ra−

dykalnie zwięk−

szy wzmocnie−

nie (pod wa−

runkiem, że do−

łączona opor−

ność obciąże−

nia będzie bardzo duża, ale to już inny

problem).

W niektórych przypadkach nie zależy

nam na dużym wzmocnieniu, a ważniej−

sza jest liniowość. Jak się na pewno do−

myślasz, wystarczy dodać rezystory

w obwodach emiterów, a liniowość po−

lepszy się kosztem wzmocnienia −

zobacz rysunek 23.

Już chyba się przekonałeś, że to fajny

układ ten wzmacniacz różnicowy. Ale to

jeszcze nie koniec. Zmorą wszystkich

omawianych wcześniej wzmacniaczy

OC, OE, OB była zależność wielu klu−

Rys. 22

Rys. 19

I co?

Okazuje się, że owszem, napięcia na

kolektorach względem masy zmieniają

się, ale zmieniają się jednocześnie. Na−

Rys. 21

Rys. 20

E LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 8/99

Rys. 18

Pierwsze kroki

czowych para−

metrów

że w stopniu wejściowym zastosowa−

łem tranzystory PNP, a nie NPN.

Czy ten układ kojarzy Ci się z czymś?

Ze wzmacniaczem z Elektora 6/99?

Z każdym wzmacniaczem mocy?

Słusznie! Prawie każdy tranzystoro−

wy wzmacniacz mocy audio zbudowany

jest na takiej mniej więcej zasadzie.

A może jeszcze Ci się z czymś koja−

rzy? Nie?

Mój Drogi, dokonaliśmy właśnie

wspólnie fantastycznego wynalazku –

na rysunku 24 mamy prawdziwy

wzmacniacz operacyjny! Zauważ, że ma

on tylko pięć końcówek: dwie końcówki

zasilania (plus i minus, bez żadnej ma−

sy), wyjście i dwa wejścia (wejście róż−

nicowe). Jeśli prześledzisz drogę sygna−

łu, przekonasz się, że zwiększanie na−

pięcia na wejściu A zwiększa napięcie

wyjściowe. Wejście to nazywany wej−

ściem nieodwracającym. Z kolei wzrost

napięcia na wejściu B powoduje zmniej−

szanie się napięcia na wyjściu. Wejście

B jest wejściem odwracającym.

Teraz wyobraź sobie, że ktoś wykonał

taki wzmacniacz w postaci układu scalo−

nego. Od tej chwili mniej ważne stają

się szczegóły wewnętrzne − ogólne za−

sady działania każ−

dego wzmacnia−

cza operacyjnego

są takie same. Za−

czynamy go trakto−

wać jako czarną

skrzynkę z dwoma

wejściami, wyj−

ściem i dwoma za−

ciskami zasilania.

Rysujemy go w po−

staci jak na rysun−

ku 25. Taki jest

symbol wzmacnia−

cza operacyjnego.

W rzeczywisto−

ści budowa we−

wnętrzna współ−

czesnych wzmac−

niaczy operacyj−

nych jest daleko

bardziej skompliko−

wana, niemniej

ogólne podstawy

budowy i działania

są właśnie takie jak

na rysunku 24.

A tak na margine−

sie − mniej więcej

w ten sposób zbu−

dowany jest popu−

larny wzmacniacz

operacyjny z kostki

LM358.

Jeśli nadążasz

za mną, to właśnie

poznałeś składowe

tem−

peratury.

Załóżmy te−

raz, że we

wzmacniaczu

różnicowym

wykorzystuje−

my dwa iden−

tyczne tranzy−

story, umie−

szczone tuż

obok siebie na

jednej płytce

krzemu. Jedna−

kowe są nie

tylko wymiary

geometryczne,

ale także wszystkie parametry. Tempe−

ratura obu struktur też jest jednakowa.

Co z tego?

Nie będziemy wchodzić w szczegóły.

Generalnie temperatura wpłynie na nie−

które parametry, niemniej w sytuacji,

gdy tranzystory są jednakowe, wpływ

na ostateczne właściwości wzmacnia−

cza będzie niewielki.

Notujemy kolejną cenną właściwość

pary różnicowej − znaczną niezależność

parametrów od temperatury.

Oczywiście w rzeczywistości podane

warunki (identyczne parametry tranzy−

storów, identyczna temperatura, ideal−

nie źródło prądowe) nie są do końca

spełnione i każdy realny wzmacniacz

różnicowy nie jest doskonały. Jednak

generalnie to właśnie wzmacniacz różni−

cowy otwiera drogę do budowy poży−

tecznych wzmacniaczy o właściwo−

ściach praktycznie niezależnych od tem−

peratury i innych szkodliwych czynni−

ków.

Rysunek 24 pokazuje bardzo prosty

przykład realizacji takiego wzmacniacza.

Układ jest zasilany napięciem syme−

trycznym, ma wejście różnicowe (syme−

tryczne) i wyjście niesymetryczne. Nie−

wątpliwie ma bardzo duże wzmocnienie

różnicowe... Chyba Ci nie przeszkadza,

Rys. 25

Rys. 23

cegiełki oraz podstawy działania wzmac−

niacza operacyjnego. Teraz nie pozosta−

je mi nic innego, tylko w najbliższym

czasie zacząć tak długo oczekiwany cykl

na ten temat. Ale cyklu o tranzystorach

nie kończę. Listy nadsyłane w tej spra−

wie świadczą, że na łamach EdW po−

winny równolegle pojawiać się oba te−

maty. W najbliższym czasie zajmiemy

się zarówno wzmacniaczami operacyj−

nymi, jak i tranzystorami.

Piotr Górecki

Rys. 24

E LEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 8/99

Plik z chomika:

Inne pliki z tego folderu:

Inne foldery tego chomika: