Kopia charakterystyki tranzystora.doc

1.    Wstęp teoretyczny

Tranzystor jest trójelektrodowym elementem półprzewodnikowym opartym na dwu złączach p-n. W zależności od układu tych złączy rozróżnia się dwa podstawowe typy tranzystorów: pnp i npn. 

Tranzystor służy do wzmocnienia mocy sygnałów elektrycznych.

Obszar środkowy tranzystora nazywany bazą. Obszar zewnętrzny o większej koncentracji nośników nazywamy emiterem. Z tego obszaru nośniki mniejszościowe emitowane są do bazy. W drugim obszarze zewnętrznym , zwanym kolektorem, gromadzone są nośniki przechodzące przez bazę.

Niezależnie od rodzaju połączeń stosujemy regułę polaryzacji elektrod:

- złącze emiter – baza spolaryzowane w kierunku przewodzenia,

      - złącze kolektor – baza spolaryzowane w kierunku zaporowym.

              Właściwości tranzystora zależą od technologii i układu struktur półprzewodnikowych. Znanych jest kilkadziesiąt konstrukcji struktur różniących się sposobami wytwarzania poszczególnych obszarów oraz kształtami złączy.

2.Przebieg ćwiczenia

Łączymy obwód wg schematu przedstawionego na rys. poniżej.

1.                             Przy ustalonym napięciu UCE zmieniamy natężenie prądu bazy IB w zakresie        0 – 200 uA co 20uA i notujemy wskazania miliwoltomierza i miliamperomierza.

2.                             Przy ustalonym natężeniu prądu bazy IB  zmieniamy napięcie UCE w przedziale   0 – 0,5 V co 0,1 V a następnie co 0,5 V do 6V notujemy wskazania miliwoltomierza i miliamperomierza.

3.    Na podstawie pomiarów w punkcie 1 rysujemy charakterystyki wejściową     UBE=f(IB) oraz przejściową IC=f(IB), zaś na podstawie pomiarów w punkcie 2 charakterystyki wyjściową IC=f(UCE) oraz oddziaływania wstecznego UBE=f(UCE).

4.    Obliczamy dla wybranego punktu pracy parametry tranzystora:

·        Rezystancję wejściową

RWE=DUBE/DIB

·        Współczynnik wzmocnienia prądowego.

B=DIC/DIB.

3.Wyniki pomiarów