Tranzystory z izolowaną bramką MOSFET.pdf
(
218 KB
)
Pobierz
Elektr/ MOS-ws pr, 3s,175kB
Tranzystory z izolowaną bramką MOSFET
Tranzystory unipolarne, w których bramka jest oddzielona od kanału cienką warstwą
izolacyjną, najczęściej utworzoną z dwutlenku krzemu SiO2, noszą nazwę
tranzystorów MOS i MOSFET.
Rys.1. Budowa tranzystora MOSFET z kanałem typu p:
a)wbudowanym (zubożanym – normalnie załączony);
b)indukowanym (wzbogaconym - normalne wyłączony)
Tabela 1.
TRANZYSTORY MOSFET
1
Tabela 2.
2
TRANZYSTORY POLOWE. Parametry graniczne.
Parametry graniczne , których nie należy przekraczać:
I
Dmax
–
maksymalny prąd drenu (od kilku do kilkudziesięciu mA);
I
Gmax
–
maksymalny prąd bramki;
U
DS max
–
maksymalne napięcie dren-źródło (od kilku do kilkudziesięciu V)
lub U
GS max
-
maksymalne napięcie bramka-źródło;
P
tot max
–
maksymalne straty mocy (od kilkudziesięciu do kilkuset mW).
3
Plik z chomika:
panzer_kot
Inne pliki z tego folderu:
3.jpg
(517 KB)
1.jpg
(639 KB)
4.jpg
(413 KB)
2.jpg
(294 KB)
PODSTAWOWE CHARAKTERYSTYKI TP ORAZ PARAMETRY.pdf
(259 KB)
Inne foldery tego chomika:
135 MAGAZINE
135 MAGAZINE(1)
2011
2e GUERRE MONDIALE
50 lekcji dla najmłodszych
Zgłoś jeśli
naruszono regulamin