Tranzystory z izolowaną bramką MOSFET.pdf

Elektr/ MOS-ws pr, 3s,175kB

Tranzystory z izolowaną bramką MOSFET

Tranzystory unipolarne, w których bramka jest oddzielona od kanału cienką warstwą

izolacyjną, najczęściej utworzoną z dwutlenku krzemu SiO2, noszą nazwę

tranzystorów MOS i MOSFET.

Rys.1. Budowa tranzystora MOSFET z kanałem typu p:

a)wbudowanym (zubożanym – normalnie załączony);

b)indukowanym (wzbogaconym - normalne wyłączony)

Tabela 1. TRANZYSTORY MOSFET

Tabela 2.

TRANZYSTORY POLOWE. Parametry graniczne.

Parametry graniczne , których nie należy przekraczać:

I Dmax – maksymalny prąd drenu (od kilku do kilkudziesięciu mA);

I Gmax – maksymalny prąd bramki;

U DS max – maksymalne napięcie dren-źródło (od kilku do kilkudziesięciu V)

lub U GS max - maksymalne napięcie bramka-źródło;

P tot max – maksymalne straty mocy (od kilkudziesięciu do kilkuset mW).