Pytania Mroczka 2011.pdf

1 Półprzewodnik amoitny to

a) materiał amoitnie generujący prąd

b) półprzewodnik z pojedynczym elektronem walencyjnym

c) czyty półprzewodnik pozbawiony domiezek i z eektów ieci

d) materiał który amoitnie powtał w wyniku powtałego miezku

2 Wraz ze wzrotem temperatury w półprzewodniku

a) rezystancja maleje

b) rezytancja nie zmienia i

c) rezytancja ronie wykładniczo

d) rezytancja ronie liniowo

5 Obzar ładunku przetrzennego w złączu PN

a) blokuje ruch noników wikzociowych

b) przypieza noniki wikzociowe

c) powalnia noniki mniejzociowe

d) to obzar, w którym wytpuje duża koncentracja wolnych noników

6 Przy polaryzacji diody w kierunku zaporowym zerokod bariery potencjału

a) zmniejza i

b) zwikza i

c) w całoci wnika do obzaru N

d) w całoci wnika do obzaru P

8 Przy polaryzacji diody w kierunku przewodzenia dla małych prądów

a) rezytancja złącza RJ jet zaniedbywalnie mała

b) udział rezytancji złącza RJ i rezytancji podłoża RB jet porównywalny

c) przeważa rezytancja złącza RJ

d) przeważa rezytancja podłoża RB

10 Ujemną rezytancj dynamiczną wykazują diody

a) mikrofalowe

b) zenera

c) tunelowe

d) pojemnociowe

11 Prac tranzytora jako wzmacniacza zapewnia polaryzacja złącz

a) emiterowego w kierunku przewodzenia i kolektorowego w kierunku przewodzenia

b) emiterowego w kierunku zaporowym i kolektorowego w kierunku przewodzenia

c) emiterowego w kierunku przewodzenia i kolektorowego w kierunku zaporowym

d) emiterowego w kierunku zaporowym i kolektorowego w kierunku zaporowym

13 Pytanie dotyczące wpółczynnika wzmocnienia prądowego w układzie wpólnego emitora Podane wzory i

wybrad poprawny

Ic/Ic=(alfa * Ie)/((1-alfa)*Ie) – alfa/(1-alfa)=beta(50-500)

14 Najwikze wzmocnienie prądowe zapewnia koniguracja tranzytora w układzie

a) żadne z poniżzych

b) OE (WE)

c) OB (WB)

d) OC (WC)

15. Punkt pracy tranzystora PNP:

a) zawze pokrywa i z punktem (0,0) charakterytyki I C od U CE Prąd kolektora od napicia kolektor emiter

b) jet jednoznacznie okrelony przez kombinacj prądu I C (prąd kolektora), I B (prąd bazy), U CE

c) istnieje tylko jeden

d) nie zależy od protej obciążenia

18 W tranzytorze JFET typu N wzrot napicia U GS powoduje:

a) zmniejzenie prądu naycenia drenu

b) zwikzenie prądu naycenia drenu

c) wzrot prądu bramki

d) padek prądu bramki

20. Zakres nasycenia tranzystora MOSFET nazywamy zakresem:

a) bramkowym

b) diodowym

c) triodowym

d) pentodowym

21 Uzupełnij zdanie Tranzytor jednozłączowy jet elementem przełączającym działającym na zaadzie

modulacji konduktywnoci półprzewodnika

a) dwuzaciskowym bipolarnym

b) trójzacikowym bipolarnym

c) dwuzaciskowym polowym

d) trójzacikowym polowym

22 Do zalet programowalnego tranzytora jednozłączowego w tosunku do nieprogramowalnego nie zaliczamy:

a) wikze napicie przebicia

b) możliwod pracy przy małych napiciach

c) programowalne napicie przełączające

d) mniejza amplituda ygnału wyjciowego

23 Triodowy tyrytor blokujący wtecznie oznaczamy krótem:

a) SCR

b) RCT

c) LTT

d) GTO

24 Przy normalnej pracy tyrytora midzy tanem blokowania a tanem przewodzenia wytpuje

a) stan zaworowy

b) stan nasycenia

c) obzar uzkodzeo obwodu bramkowego

d) obszar ujemnej rezystancji dynamicznej

26. Jednotką natżenia owietlenia jet

a) kandela

b) luks

c) lumen

d) wat

27 Barwa promieniowania emitowanego przez diod LED zależy od:

a) zerokoci przerwy zabronionej

b) zerokoci obzaru ładunku przetrzennego

c) ruchliwoci noników

d) kierunku polaryzacji

28 Wpółczynnik wypełnienia FF ogniwa fotoelektrycznego definiowany jest jako:

a) bezwzgldna różnica midzy napiciami nieobciążonego i obciążonego ogniwa fotoelektrycznego

b) tounek mocy makymalnej wydzielonej w obciążeniu do makymalnej mocy teoretycznej

c) tounek prądu makymalnego płynącego przez obciążenie do prądu fotoelektrycznego

d) tounek wytworzonej mocy elektrycznej do mocy padającego promieniowania

BONUS : FF=Im*Um/Isc*Usc

wpółczynnik wypełnienia FF ogniwa otoelektrycznego (definicja) (gdzie:ImUm ->prąd i napiecie odpowiadające

punktowi przegicia w charakterytyce I-U; IscUsc ->prąd zwarcia i napicie rozwarcia

FF=Im*Um/Isc*Usc

FF=Um/Im^2*Usc

FF=Usc/Um*Isc

29. Jest rysunek.

30. W ogniwie fotoelektrycznym przy braku obciążenia zależnod otoprądu od natżenia owietlenia jet

a) liniowa

b) ekspotencjalna

c) kwadratowa

d) logarytmiczna

Które z poniżzych twierdzeo nie jet prawdziwe

Tranzytor FET w porównaniu z tranzytorem bipolarnym ma

a) wikzą impedancj wejd

b) mniejze zakłócenia

c) gorze właciwoci w zakreie wielkich cztotliwoci

d) dużo gorzą kal integracji układu calonego

W tranzytorze MOFET z kanałem zindukowanym dla U GS =0:

a) płynie duży prąd drenu

b) zotaje zindukowany kanał

c) prąd drenu nie płynie

d) tranzystor pracuje w zakresie aktywnym

W czasie normalnej pracy tyrystora punkt przełączenia wytpuje przy

a) dodatnim napiciu bramki

b) ujemnym napiciu bramki

c) ujemnym napiciu anody

d) dodatnim napiciu katody

Sterowanie mocy przy użyciu tyrytora polega na

a) zmianie polaryzacji anoda-katoda

b) pracy w obszarze ujemnej rezystancji dynamicznej

c) regulacji punktu przełączenia tyrystora

d) regulacji kąta zapłonu tyrytora

Wyłączenie ototyrytora możliwe jet dziki

a) zwikzeniu napicia anody

b) zwikzeniu prądu anodowego

c) zmianie biegunowoci napicia zailającego

d) zwikzeniu prądu bramki

Włączenie tyrytora natpuje przy polaryzacji (V A -potencjał anody, V K -potencjał katody, V G -potencjał bramki)

a) V A >V G >V K

b) V A >V G <V K

c) V A <V G >V K

d) V A <V G <V K

Wraz ze wzrotem temperatury liczba noników prądu w półprzewodnikach

maleje

ronie

nie zmienia i

Półprzewodnik domiezkowany to

materiał łatwo miezalny

półprzewodnik z celowo wprowadzonymi zanieczyzczeniami

materiał w którym amoitnie powtają domiezki

materiał w którym nie powtaje dodatkowy poziom energetyczny

Zjawiko Zenera i przebicie lawinowe złącza PN

ą wynikiem zderzenia noników mniejzociowych z atomami ieci

ą wynikiem działania ilnego pola elektr w obzarze złącza

mogą wytpowad jednoczenie

ą zjawikami nieodwracalnymi

wiatłem widzialnym nazywamy promieniowanie e-m w zakresie:

120-380 nanometrów

380-780 nanometrów

powyżej 380 nanometrów

poniżej 1000 nanometrów

Emisja promieniowania w diodzie LED natpuje w wyniku

pozerzenia obzaru ład przetrz

polaryzacji w kierunku zaporowym

rekombinacji promienistej

tunelowego przebicia złącza

Zależnod prądowo-napiciowa diody w kierunku przewodzenia opiana jet równaniem

Id=Iu*exp(qU/kT)

W przewodniku zerokod pama zabronionego wynoi

0 (wie wytpuje)

W półprzewodniku typu N wytpuje

pid elektronów walencyjnych,

Nonikami wikzociowymi ą elektrony wobodne, nonikami mniejzociowymi ą wolne dziury

Domiezkowanie atomami piciowartociowymi (donorowe) a wic nonikami wikzociowymi ą elektrony .

Obzarowi otodiody odpowiada dwiartka

Wartod prądu Ic w obwodzie wynoi(ryunek protego obwodu z tranzytorem)

10mA

W ogniwie otowoltaicznym przy braku obciążenia zależnod mocy prądu od natżenia owietlenia jet:

liniowa

ekspotencjalna

kwadratowa

logarytmiczna

Plik z chomika:

Inne pliki z tego folderu:

Inne foldery tego chomika: